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    在半导体集成电路的制程工艺难以突破时，转而开发3D堆叠这种更先进的封装技术，其实也能够实现技术上的巨大飞跃。

    那这种东西的可行性高吗？

    别的不用多说，美帝国防部高级研究规划局在2005年规划发展文件当中，直接把3D堆叠技术定位成美国未来防卫技术转型的三大基础技术之一，这将成为美国八大国防战略的核心技术支撑平台，并且将会产生革命性影响。

    所以说，像3D堆叠这种东西，未来注定是不平凡的存在。

    现在倪光南总工爆出3D堆叠封装技术，实际这东西在开阳半导体那边已经有了一定的技术积累，只不过还没到全面爆发的时候罢了。

    之前按照计划，如果开阳半导体还不能在短时间之内突破0.5微米制程技术，公司会直接采用3D堆叠技术来提升处理器性能。

    在2000年之前，微处理器的晶体管数量还没有达到一定量级，所谓发热问题都还不算太显著，再加上RISC指令集的处理器在功耗与发热方面控制都还比较好，只要不是堆叠层数太多，大不了再提前弄出CPU风扇、水冷这种东西，其实也都还可以跟微处理器更新换代速度。

    不过嘛，随着林本坚加入开阳半导体，带领团队迅速攻克0.5微米制程的工艺问题，于是在开阳915处理器项目中，最终还是没有打算那么早采用3D堆叠，选择传统方案，控制风险。

    此前开发的相应技术转为备用，并且还继续投资进行完善，以备不时之需，万一哪天的工艺制程技术被卡住，说不定还可以拿这技术出来救火。

    采用3D堆叠技术研制微处理器，未来会受到不同堆叠层之间间距太小所导致的散热难问题困扰，但如果将其用于存储设备，最难解决的散热问题便不会存在，基于内存设备工作性质来说，它压根儿是不会出现高发热的可能。

    在2011年，那时候的全球各大内存设备公司纷纷转战3D堆叠技术，迅速推出各种堆叠层数高达三十多四十层的内存芯片出来，在占用同等面积大小情况下，可以十倍于传统的DDR3的内存容量、读写速度。
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